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分布式光伏发电系统的EL测算仪

  • 发布日期:2017-11-18 17:03
  • 有效期至:长期有效
  • 装修建材区域:广东东莞市
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详细说明

EL测试的过程即晶体硅太阳电池外加正向偏置电压,直流电源向晶体硅太阳电池注入大量非平衡载流子,太阳电池依靠从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光,放出光子,也就是光伏效益的逆过程;再利用ccd相机捕捉到这些光子,通过计算机进行处理后以图像的形式显示出来,整个过程都在暗室中进行。

光伏电池组件出厂前检测,目前光伏组件产线基本在装框后都有一次组件EL检测,此检测过程使用线上全自动EL检测仪进行测试,直接与流水线对接进行全检,以确保组件完好没有任何内部隐裂,或真的其不同内部缺陷情况进行等级划分再发送给电站。此过程的组件质检全由组件厂商负责,其必须要有电性能跟EL的全部检测报告。

电站现场安装前的检测,在电站现场收到组件后,必须进行必要的组件EL内部缺陷检测,电性能检测并不是很标准,有的具有断栅,低效率片的组件,对其电性能检测并没有任何影响,但是此组件安装上支架后比如只有较短的发电寿命,且拉低整条串联方阵发电效率。故电站现场安装前EL检测非常必要,其能明确厂家组件是否具有内部缺陷,或者在运输过程中给组件造成的内部隐裂等,也可以在此过程中检测出来。此过程的EL检测设备是户外便携式EL检测仪,此设备特点为方便携带,客户可直接带到厂商,仓库,电站现场进行组件的EL检测仪,具体操作流程非常简单。

仓库内或者室内检测:白天,如无强烈太阳光照射,可直接将红外相机放置在三角架上,对着组件进行内部缺陷的检测。如有强烈太阳能光照射则需要搭建防简易帐篷组件红外暗室,在暗室内将组件抬进去EL检测。夜晚,也是直接使用红外相机放置三角架上进行检测,无需暗室(EL检测仪不受月光的干扰)。此红外相机已经经过滤光处理,月光,灯光对于测试无任何影响。检测有问题的组件取出来退换。

电站现场室外户外检测:白天,阳光下检测需搭建防红外暗室帐篷,抬放组件进暗室进行EL内部缺陷检测。夜晚,组件检测直接使用红外相机三角架进行检测,设备自带移动电源以便户外上电使用。此过程中检测问题的组件可直接进行支架上安装。

在电站组件全部安装后,还需对组件进行最终的EL检测,以防止在安装过程中由于施工问题使得组件出现内部缺陷问题,此过程中可直接搭建三角架进行单个或者多个方阵组件的检测,便携式EL检测仪自动对焦功能使得此过程中检测速度非常快速。

在完成安装后检测,其光伏电站的检测全部完成,不同环节的检测,也可以对于组件在哪块环节出现问题责任有明确查询,将没有任何推诿的可能性。且无任何缺陷的组件才是最大功率与最长工作寿命的保障。

 

测试案例:

1、破片

组件中的破片多出现在组件封装过程的焊接和层压工序,在EL测试图中表现为电池片中有黑块,因为电池片破裂后在电池片破裂部分没有电流注入,从而导致该部分在EL测试中不发光。

2、隐裂

晶体硅太阳电池所采用的硅材料本身易碎,因此在电池片生产和组件封装过程中很容易产生裂片。裂片分两种一种是显裂,另一种是隐裂。显裂是肉眼可以直接看到的,在组件生产过程中的分选工序就可以剔除;而隐裂是肉眼无法直接看到的,并且在组件的制作过程中更容易产生破片等问题。由于单晶硅的解离面具有一定的规则,通过EL测试图可以清晰地看到单晶硅电池片的隐裂纹一般是沿着电池片对角线方向的“X”状图形;多晶硅电池片由于晶界的影响有时很难区分是多晶硅的晶界还是电池片的隐裂纹。

3、断栅

电池片的断栅主要是由于电池片本身栅线印刷不良或电池片不规范焊接造成的。从EL测试图中表现为沿电池片主栅线的暗线,这是因为电池片的副栅线断掉后,EL测试过程中从电池片主栅线上注入的电流在断栅附近处的电流密度很小甚至没有,从而导致电池片的断栅处发光强度较弱或不发光。

4、烧结缺陷

在电池片生产过程中,烧结工序工艺参数不佳或者烧结设备存在缺陷时,生产出来的电池片在EL测试过程中会显示为大面积的履带印。实际生产中通过有针对性的工装改造就可以有效的消除履带印的问题。例如,采用顶针式履带生产出来的电池片在EL测试图只能看到若干个黑点儿没有大面积的履带印。

5、黑芯片

黑芯片在EL测试图中我们可以清晰地看到从电池片中心到边缘逐渐变亮的同心圆,它们产生于硅材料生产阶段,与硅棒制作过程中氧的溶解度和分凝系数大有关系。此种材料缺陷势必导致晶体硅电池片的少数载流子浓度减低,从而导致电池片中有此类缺陷的部分在EL测试过程中表现为发光强度较弱或不发光。

6、电池片混挡

一块组件的EL测试图中有部分电池片发光强度与该组件中的大部分电池片相比较弱,这是由于这部分电池片的电流或电压分档与该组件中大部分电池片的电流或电压分档不一致造成的。

7、电池片电阻不均匀

EL测试单个电池片表面发光强度不均匀,这是由于电池片电阻不均匀造成的,较暗区域一般串联电阻较大。这种缺陷也能反应电池片少子寿命的分布状况,缺陷部分少子跃迁几率减低,在EL测试过程中表现为发光强度较弱。


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